ISO 17560:2014

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Publicado (Edición 2, 2014)

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ISO 17560:2014

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Resumen

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 10¹⁶ atoms/cm³ and 1 × 10²⁰ atoms/cm³, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Informaciones generales

Estado
: Publicado

Fecha de publicación
: 2014-09

Etapa
: Norma Internacional confirmada [90.93]
Edición
: 2

Número de páginas
: 10
Comité Técnico :
ISO/TC 201/SC 6

ICS :
71.040.40
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