Тезис
ISO 14706:2014 specifies a TXRF method for the measurement of the atomic surface density of elemental contamination on chemomechanically polished or epitaxial silicon wafer surfaces. The method is applicable to the following: elements of atomic number from 16 (S) to 92 (U); contamination elements with atomic surface densities from 1 × 1010 atoms/cm2 to 1 × 1014 atoms/cm2; contamination elements with atomic surface densities from 5 × 108 atoms/cm2 to 5 × 1012 atoms/cm2 using a VPD (vapour-phase decomposition) specimen preparation method.
Общая информация
-
Текущий статус: ОпубликованоДата публикации: 2014-08Этап: Подтверждение действия международного стандарта [90.93]
-
Версия: 2
-
Технический комитет :ISO/TC 201ICS :71.040.40
- RSS обновления
Жизненный цикл
-
Ранее
ОтозваноISO 14706:2000
-
Сейчас
ОпубликованоISO 14706:2014
Стандарт, который пересматривается каждые 5 лет
Этап: 90.93 (Подтверждено)-
00
Предварительная стадия
-
10
Стадия, связанная с внесением предложения
-
20
Подготовительная стадия
-
30
Стадия, связанная с подготовкой проекта комитета
-
40
Стадия, связанная с рассмотрением проекта международного стандарта
-
50
Стадия, на которой осуществляется принятие стандарта
-
60
Стадия, на которой осуществляется публикация
-
90
Стадия пересмотра
-
95
Стадия, на которой осуществляется отмена стандарта
-
00